RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
1875
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link