RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
28
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
28
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3537
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Mushkin 991586 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link