RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
41
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
3055
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link