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Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB vs Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2237
2176
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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