RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
62
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
25
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link