RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link