RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link