RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link