RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lenovo 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link