RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
65
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link