RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
65
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link