RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de -171% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
6.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link