RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
6.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de -25% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.1
6.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2792
2256
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link