RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
2256
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link