RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около -25% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.7
Скорость записи, Гб/сек
11.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
2256
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link