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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
77
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
2,279.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
77
65
Velocidade de leitura, GB/s
3,872.0
4,605.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,279.6
2,451.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
713
878
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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