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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
40
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
5.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
40
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.1
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1432
1789
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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