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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
5.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
40
读取速度,GB/s
9.4
12.3
写入速度,GB/s
5.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
1789
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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