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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 40
    周辺 28% 低遅延
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 5.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.1 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1432 left arrow 1789

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