RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
49
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2534
2782
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link