RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2534
2782
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link