RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2534
2782
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link