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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
3572
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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