RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
3572
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link