RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3572
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link