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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
2512
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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