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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2512
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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