RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
37
Velocità di lettura, GB/s
15.8
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
2512
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link