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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2711
2512
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Absolute Latency
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