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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de -16% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
2340
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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