Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

総合得点

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

総合得点

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.8 14.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 9.3

テスト平均値

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 29

周辺 -16% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 25
読み出し速度、GB/s

15.8 14.8
書き込み速度、GB/秒

11.8 9.3
メモリ帯域幅、mbps

17000 19200

Other

商品説明

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2711 2340

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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