RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2340
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link