RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2104
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link