RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2104
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link