RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Comparar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,636.8
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
68
Por volta de -119% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,540.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,636.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
827
3313
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link