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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
3697
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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