RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
55
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
55
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
2701
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link