RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
55
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
55
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2701
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link