RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
55
Около 49% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
55
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1578
2701
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link