RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
71
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2841
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link