RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2841
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link