RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
71
Por volta de -196% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
18.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
4114
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link