RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4114
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link