RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4114
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link