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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3129
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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