Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 31

Por volta de 13% menor latência

Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.1 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.5 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 3130

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns