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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3130
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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