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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2702
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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