RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2702
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link