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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
22.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3938
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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