RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3293
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link